11、对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）

相似题目

• 对于“储蓄――投资”I=S+（T-G）+（M-X+Kr）这个恒等式来说，它是根据储蓄和投资的定义得来的，如果遵循了这些定义，以下说法正确的是（）。

  A . 储蓄和投资一定不相等 B . 储蓄和投资一定相等 C . 储蓄和投资有可能相等 D . 储蓄和投资不完全球墨铸铁管价格相等

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• 对于消化性溃疡疾病来说，根除Hp，以下说法正确的是（）

  A . 可促进溃疡愈合 B . 可使十二指肠溃疡、胃溃疡的年复发率降至5%以下 C . 显著降低消化性溃疡出血等并发症的发生 D . 需要PPI的协同作用

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• 关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是（）。

  A . A．自由电子、空穴、位于晶格上的离子 B . B．无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质 C . C．对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质 D . D．对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质

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• 对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）。

  A . A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的； B . B、它的载流子是空穴； C . C、它对外呈现正电； D . D、它的多数载流子是空穴。

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• 关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。

  A . A．只存在一种载流子：自由电子 B . B．在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极 C . C．在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体 D . D．在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

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• 关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）

  A . 自由电了是多数载流子 B . 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极 C . 在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体 D . 在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

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• 对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。

  A . 上移 B . 下移 C . 不变

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• 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。

  A . E B . E C . E D . E

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• 关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）

  A . 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴 B . P型半导体中只有空穴导电 C . N型半导体中只有自由电子参与导电 D . 在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

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• 对于一个具体的ASBR来说，其路由的来源有两种：从对等体接收的或者从IGP引入的，以下说法正确的是（）。

  A . 对于接收的路由，根据其属性进行过滤，并设置某些属性 B . BGP可能从多个对等体收到目的地相同的路由，BGP将所有路由加入IP路由表 C . 对于IGP路由，必须经过引入策略的过滤和设置 D . BGP发送优选的BGP路由和引入的IGP路由给对等体

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• 不论P型半导体还是N型半导体，就半导体器件来说都是带电的。

  A . 正确 B . 错误

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• 对于热线式空气流量传感器来说，当进气量从小到大的过程中，以下说法正确的是（）

  A . A、信号电压将由大变小 B . B、信号电压将由小变大 C . C、信号电压将保持不变 D . D、信号电压将先变大再变小

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• 对于参展商来说，以下（）的说法是正确的。

  A . A.先付款；先申请；先安排 B . B.先申请；先付款；先安排 C . C.先安排；再申请；再付款 D . D.先申请；先安排；再付款

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• 对于期权买方来说，以下说法正确的（）。

  A . 看涨期权的delta为负，看跌期权的delta为正 B . 看涨期权的delta为正，看跌期权的delta为负 C . 看涨期权和看跌期权的delta均为正 D . 看涨期权和看跌期权的delta均为负

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• 设有说明语句：doublex=123.56；，对于语句printf（“%-8.2e\n”，x）；，以下说法正确的是（）

  A . 输出为-1.24e+002 B . 输出为1.24e+002 C . 输出为12.36e+001 D . 输出格式描述符的域宽不够，不能输出

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• 对于PowerPoint来说，以下说法正确的是（）。

  A . 启动PowerPoint后只能建立或编辑一个演示文稿文件 B . 启动PowerPoint后可以建立或编辑多个演示文稿文件 C . 启动PowerPoint后，不能编辑多个演示文稿文件 D . 在新建了一个演示文稿之前，必须先关闭当前正在编辑的演示文稿文件

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• 以下对于智悦人生年金保险(万能型，2017)部分领取的比例说法正确的是()。(单选题)

  A．每笔领取金额不得低于100元，且为100元的整数倍 B．每笔领取金额不得低于500元，且为500元的整数倍 C．每笔领取金额不得低于保单账户价值的3% D．每笔领取金额不得低于保单账户价值的5%

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• 关于N型半导体，正确的是（）

  A、在真性半导体中混入价电子为3个的砷和磷等不純物、使其共合后的的产物 B、在真性半导体中混入价电子为5个的砷和磷等不純物、使其共合后的的产物 C、在真性半导体中混入价电子为5个的铟和硼等不純物、使其共合后的的产物 D、在真性半导体中混入价电子为3个的铟和硼等不純物、使其共合后的的产物

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• 对半导体而言,其正确的说法是（).（1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.（3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.

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• 一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N

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• 对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（)。

  A．上，积累，下，耗尽或反型 B．上，耗尽或反型，上，积累 C．上，积累，上，耗尽或反型 D．下，积累，下，耗尽或反型

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• 6、将带正电导体M置于中性导体N附近，两者表面的电荷都将重新分布，以下说法正确的是：

  A．N的表面既有正电荷，又有负电荷。 B．M的表面既有正电荷，又有负电荷。 C．M的表面不可能出现负电荷。 D．N的表面不可能出现负电荷。

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