2、二氧化硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分主要包含

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• 湿法刻蚀有什么缺点？

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• 湿法FGD系统的设备腐蚀原因主要有（）。

  A . NO的腐蚀 B . SO2的腐蚀 C . 硫酸根及亚硫酸根离子的腐蚀 D . 氯离子、氟离子的腐蚀

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• 什么是湿法刻蚀？

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• （）在电子产品装配中的应用较广，其主要成分是松香。在加热情况下，松香具有去除焊件表面氧化物的能力，同时焊接后形成保护膜层具有覆盖和保护焊点不被氧化腐蚀的作用。

  A . 无机类助焊剂； B . 有机类助焊剂； C . 树脂类助焊剂； D . 光固化阻焊剂。

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• 湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的，腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。

  A . 正确 B . 错误

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• 与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。

  A . 正确 B . 错误

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• 按脱硫剂的物理形态把脱硫方法分干法和湿法脱硫，采用栲胶法湿法脱硫技术，该法所使用的脱硫液无毒

  A . 正确 B . 错误

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• 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。

  A . 正确 B . 错误

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• 烟草燃烧后的烟雾及颗粒物成分比较复杂，包含约800多种化学物质，主要有害成分为（）、烟焦油、一氧化碳、重金属元素等。

  A . 尼古丁 B . 三聚氰胺 C . 一氧化氮

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• 氧化锌丁香酚水门汀液剂中的主要成分是（）

  A . 正磷酸 B . 乙酸 C . 聚丙烯酸 D . 丁香油

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• 在非铁合金铸件的生产中，常采用（）直浇道，其特点是充型平稳，能避免金属液氧化和吸气。

  A . 正圆锥形 B . 倒圆锥形 C . 蛇形 D . 圆柱形

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• 酸雨对金属有很强的腐蚀性，其主要腐蚀成分是二氧化碳。

  A . 正确 B . 错误

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• 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

  A . 刻蚀速率 B . 选择性 C . 各向同性 D . 各向异性

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• 湿法保养是为了防止管道和设备氧化腐蚀。

  A . 正确 B . 错误

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• 在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。

  A . 正确 B . 错误

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• 5、湿法刻蚀的分辨率比干法刻蚀的分辨率高。

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• 湿法刻蚀刻蚀槽中溶液主要成分包括______

  A．HF B．NaOH C．HNO3 D．H2SO4

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• 用于湿法化学剥离氮化硅掩蔽层的溶液其主要成分是（）

  A．盐酸 B．磷酸 C．氢氟酸 D．硫酸

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• 2、电阻应变片转换电路常采用差动电桥，其作用主要包含：（）

  A．减小非线性误差 B．增加应变 C．进行温度补偿 D．提高灵敏度

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• 半水煤气的主要成分有氢气、氮气、一氧化碳、二氧化碳和少量的硫化氢、甲烷等，这些气体不仅极易燃烧、爆炸，有的还具有腐蚀性、毒性。

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• 什么是干法刻蚀？什么是湿法腐蚀？两者所形成的刻蚀剖面有何区别？

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• 3、铝的湿法腐蚀液成分主要是： 。

  A．硝酸 B．磷酸 C．硫酸 D．氢氟酸

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• 强制氧化湿法脱硫的化学反应过程包含：（1）气相SO2被液相吸收的反应；（2）吸收剂溶解和中和反应；（3）氧化反应；（4）结晶析出（）

  A．（1）+（2）+（3）； B．（1）+（3）+（4）； C．（1）+（2）+（4）； D．（1）+（2）+（3）+（4）

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• 2、二氧化硅干法刻蚀常常采用哪种气体的等离子体形式

  A．HCl B．Cl2 C．HF D．B2H6

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