硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。
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气体扩散法是将含（）的气体在高温下向硅片进行扩散，形成（），一般都用这一方法。
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表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。
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硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
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光伏发电产业链从上游到下游，主要包括的产业链条包括多晶硅、硅片和（）
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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
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对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。
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把一对反并联的晶闸管集成在同一硅片上的器件为（）。
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暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
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每18个月，同样硅片面积上的晶体管数目翻一番，这个在信息领域广泛引用的是什么定律？
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CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
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下列不是硅片主要切片方法的是（）。
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在硅片的抛光过程中，下列因素中不是影响粗抛的主要因素是（）。
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将一个晶闸管和一个二极管反并联集成在同一硅片上的器件为（）。
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当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
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硅片研磨及清洗后腐蚀的方法有哪些？
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采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？
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正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）
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用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。
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CD是指硅片上的最小特征尺寸。
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沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。
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位错可以在晶体生长和硅片制备过程中的任意阶段产生（）
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单晶组件EL测试时时常有黑芯片出现，黑芯片主要与硅片的杂质浓度和位错密度有（）
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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即（)和（)。
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