PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而()。
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常用的半导体光电检测器有PIN光电二极管和（）两种。
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待测物呈红色，那么，入射光的波长选红光区域的波长。
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常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。
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某光电二极管的的响应速度R=0．65A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。
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在计算机仿真实验中，光电管的饱和电流与入射光（）成正比。
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介质对光的折射率随入射光线的波长变化规律是（）
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采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（）。
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简述影响PIN光电二极管响应速度的主要因素。
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简述PIN型的光电二极管的及特点？
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玻璃的折射率随入射光波长的变化而变化的现象即为玻璃的（）
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哪项是入射光波长选择的原则（）。
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某光电二极管的的响应速度R=0．8A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。
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采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
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入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。
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太阳电池在入射光中每一种波长的光能作用下所收集到的光电流，与相应于入射到电池表面的该波长的光子数之比，称作太阳电池的（），也称为光谱灵敏度。
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（）是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器。
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光照一定，短路电流与入射光波长的关系，属光电池的（）特性。
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一般PIN光电二极管在入射光功率（）毫瓦量级时，能够保持比较好的线性。
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某PIN光电二极管的量子效率η=70%，接收波长为1550nm，则此光电二极管的响应速度Ｒ为（）。
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在光电效应的实验中，如果入射光的频率不变而强度增加，单位时间产生的光电子数 (填增加、减小或不变) ；如果入射光的频率增加，光电子的最大初动能 (填增加、减小或不变)。
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3、光电效应中入射光的光强决定了（）
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已知某Si－PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A／W，一个光子的能量为2.24×10－19 J，电子电荷量为1.6已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W，一个光子的能量为2.24×10-19 J，电子电荷量为1.6×10-19 C，则该光电二极管的量子效率为()
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某光电管阴极,对于λ=491 nm的入射光,其发射光电子的遏止电压为0.71V.当入射光的波长为________________ nm 时,其遏止电压变为1.43 v.
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2、光电效应的产生，要求入射光的频率必须：
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