已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W,一个光子的能量为2.24×10-19 J,电子电荷量为1.6已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W,一个光子的能量为2.24×10-19 J,电子电荷量为1.6×10-19 C,则该光电二极管的量子效率为()
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常用的半导体光电检测器有PIN光电二极管和()两种。
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光电二极管的响应速度比光电三级管约高一个数量级,比锗管约高一个数量级。
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半导体光检测器主要有两类:PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD) APD管由于其灵敏度比较高一般为__dBm左右,适用于长距离传送
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常用的光电检测器有光电二极管(PIN)和雪崩光电二极管(APD)两种。
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某光电二极管的的响应速度R=0.65A/w,接收波长为1550nm,则此光电二极管的量子效率为()。
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为了提高光电二极管的响应频率,应适当加大()。
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采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围()。
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简述影响PIN光电二极管响应速度的主要因素。
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简述PIN型的光电二极管的及特点?
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已知:R0=28H(28H)=46HMOVA,#32HMOVA,45HMOVA,@R0执行结果A的内容为()。
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某光电二极管的的响应速度R=0.8A/w,接收波长为1550nm,则此光电二极管的量子效率为()。
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采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
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对PIN光电二极管优点描述不正确的是()。
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已知:MOVA,#28HMOVR0,#20HMOV@R0,AANLA,#0FHORLA,#80HXRLA,@R0执行结果A的内容为()。
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已知R0=45H,A=0DAH,片内地址45H的字节值为68H,执行指令”AddA,@R0”以后,A、CY、OV分别为()
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一般PIN光电二极管在入射光功率()毫瓦量级时,能够保持比较好的线性。
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对于采用PIN光电二极管作检测器的接收机,()是影响接收机灵敏度最主要的因素。
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某PIN光电二极管的量子效率η=70%,接收波长为1550nm,则此光电二极管的响应速度R为()。
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PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而()。
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有一硅光电二极管,其光敏面积为2mm2,在室温下测得输出光电流为15μA(一般硅光电二极管的灵敏度SI=0.5μA/μW),
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5、影响半导体光电二极管响应速度的因素有 ()
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Si光电二极管的光谱响应频段()。
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已知(A)=12H,(R0)=71H,(71H)=55H,执行指令ORLA,@R0后,A中的内容是()。
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已知某电池反应为A+ + 0.5B2-↔A + 0.5B,当反应方程式改为2A+ + B2-↔2A+B时,此方程的EӨ不变, ΔrGmӨ改变
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