光电二极管的响应速度比光电三级管约高一个数量级，比锗管约高一个数量级。
相似题目
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常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。
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某光电二极管的的响应速度R=0．65A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。
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基于光生伏特效应的光电器件有光电二极管、光电三极管和光电池。
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由于粉末体的晶格畸变能比总比表面能高一个数量级，所以在烧结过程中，晶格畸变能的减小是构成粉末烧结的自由能降低即烧结驱动力的主要部分。
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为了提高光电二极管的响应频率，应适当加大（）。
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采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（）。
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简述影响PIN光电二极管响应速度的主要因素。
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硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
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硅光电池的光谱响应波长范围比锗光的光谱响应波长范围广。
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某光电二极管的的响应速度R=0．8A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。
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采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
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硅二极管的反向电流比锗二极管大。
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一般PIN光电二极管在入射光功率（）毫瓦量级时，能够保持比较好的线性。
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某PIN光电二极管的量子效率η=70%，接收波长为1550nm，则此光电二极管的响应速度Ｒ为（）。
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PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而()。
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目前常用的半导体光电检测器有两种，（）光电二极管和（）光电二极管。
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5、影响半导体光电二极管响应速度的因素有 （)
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已知某Si－PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A／W，一个光子的能量为2.24×10－19 J，电子电荷量为1.6已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W，一个光子的能量为2.24×10-19 J，电子电荷量为1.6×10-19 C，则该光电二极管的量子效率为()
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硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
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硅二极管的反向电流比锗二极管大。()
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Si光电二极管的光谱响应频段（)。
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由发光二极管与光电三极管构成的光电耦合器件的电流传输比一定小于1（）
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光电三极管大多是两个引脚的，它与光电三极管在外观上几乎一样，那么如何区分光电二极管与光电三极管？
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硅二极管的反向电流比锗二极管小。（)