5、影响半导体光电二极管响应速度的因素有 （)

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• 常用的半导体光电检测器有PIN光电二极管和（）两种。

  A . 发光二极管 B . APD雪崩光电二极管 C . 双基极二极管 D . 混频二极管

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• 光电二极管的响应速度比光电三级管约高一个数量级，比锗管约高一个数量级。

  A . 正确 B . 错误

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• 下列选项中，（）不是影响离子选择性电极的响应速度的主要因素。

  A . 测量溶液的浓度 B . 溶液之间浓度差 C . 电极的pH值范围 D . 测量的顺序

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• 下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是（）

  A . 载流子完成倍增过程所需要的时间 B . 载流子在耗尽层的渡越时间 C . 结电容和负载电阻的RC时间常数 D . 结电容和负载电感的LC时间常数

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• IN型光电二极管的结构分为（）层，P区和N区之间较厚的一层是（）半导体。

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• 半导体光检测器主要有两类：PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD） APD管由于其灵敏度比较高一般为__dBm左右,适用于长距离传送

  A . -14 B . -20 C . -28 D . -45

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• 某光电二极管的的响应速度R=0．65A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。

  A . A．50% B . B．52% C . C．54% D . D．56%

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• 常用的半导体光电检测器有（）二极管和（）二极管两种。

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• 半导体色敏器件是一个双结光电二极管，由两个（）不同的PN结构成。

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• 为了提高光电二极管的响应频率，应适当加大（）。

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• 采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（）。

  A . 0.4-0.5μm B . 0.4-1.0μm C . 0.5-1.0μm D . 0.5-1.5μm

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• 简述影响PIN光电二极管响应速度的主要因素。

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• 光接收机的光电转换功能主要是依靠半导体发光二极管来完成的。

  A . 正确 B . 错误

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• 某光电二极管的的响应速度R=0．8A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。

  A . A．60% B . B．62% C . C．64% D . D．66%

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• 采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm

  A . 正确 B . 错误

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• 目前的固体图像传感器主要有三种类型：第一种是电视摄像机MOS（金属氧化物半导体）图像传感器，又称为SSPA（自扫描光电二极管阵列），第二种是CCD图像传感器，第三种是CID（电荷注入器件）图像传感器。

  A . 正确 B . 错误

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• 对于采用PIN光电二极管作检测器的接收机，（）是影响接收机灵敏度最主要的因素。

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• 某PIN光电二极管的量子效率η=70%，接收波长为1550nm，则此光电二极管的响应速度Ｒ为（）。

  A . A．0．85 B . B．0．875 C . C．0．9 D . D．0．925

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• PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而()。

  A . 减小 B . 增大 C . 趋于饱和 D . 趋于截止

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• 目前常用的半导体光电检测器有两种，（）光电二极管和（）光电二极管。

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• 已知某Si－PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A／W，一个光子的能量为2.24×10－19 J，电子电荷量为1.6已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W，一个光子的能量为2.24×10-19 J，电子电荷量为1.6×10-19 C，则该光电二极管的量子效率为()

  A．40% B．50% C．60% D．70%

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• Si光电二极管的光谱响应频段（)。

  A、紫外波段 B、可见-近红外波段 C、中红外波段 D、远红外波段

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• 光电二极管（PD）把光信号转换为电信号的功能是由半导体的光电效应实现的（）

  A．PIN结 B．PN结 C．PTN结 D．PT结

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