N沟道场效应管导电载流子是（);P沟道场效应管导电载流子是（)。

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• 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

  A . A．自由电子，空穴；扩散，飘移 B . B．空穴，自由电子；漂移，扩散 C . C．空穴，自由电子；扩散，漂移 D . D．自由电子，空穴；漂移，扩散 E . E．自由电子，空穴；扩散，扩散

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• N型半导体导电主要依靠的载流子是（）。

  A . 原子 B . 分子 C . 空穴 D . 自由电子

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• P类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。

  A . 电子 B . 质子 C . 空穴

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• D沟道型场效应管中的载流子是（）

  A . 自由电子 B . 空穴 C . 电子和空穴 D . 带电离子

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• 增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。

  A . U ＞U B . U ＜U C . U =0 D . U ＞U

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• 某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

  A . 耗尽型管 B . 增强型管 C . 绝缘栅型 D . 无法确定

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• 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种

  A . 正确 B . 错误

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• 单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。

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• 场效应管是电压控制电流器件，参与导电载流子种类为（）。

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• 必须加栅极电压，漏极和源极才能导电的场效应管称为（）

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• 晶体管靠两种载流子导电，场效应管靠一种载流子导电。

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• N沟道场效应管的封装的元器件封装库是：( )。

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• 场效应管漏极电流由_____（a.少子b.多子c.两种载流子）的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由_____（a.电子b.空穴c.电子和空穴）的漂移运动形成。

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• 双极型晶体管导电的载流子是_________；N沟道场效应管导电的载流子是__________;P沟道导电的载流子是_______。A电子 B空穴 C电子和空穴

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• 制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)

  是 否

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• 3、场效应管在工作时只有一种载流子参与导电

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• 12、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。

  A．空穴 B．电子 C．电子和空穴 D．正离子 E．负离子

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• 10、场效应管中只有多数载流子参与导电，因此其工作温度没有限制。

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• 47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。

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• 3、P沟道JFET中的导电载流子是________ 。

  A．电子 B．空穴 C．电子或空穴 D．电子和空穴

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• 晶体管从结构上可分成（)和（)两种类型：根据使用的半导体材料不同可分成（)和（)管。它们工作时有（)和（)两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管。

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• 19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。

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• 1、场效应管只有一种载流子参与导电，所以叫单极型器件。

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• 结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式（）

  是 否

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