ULSI对光刻的要求
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对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？
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曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
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如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
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解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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什么是正光刻胶，负光刻胶？
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若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
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光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
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什么是负性光刻？正性光刻？
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何为分辨率、对比度、IC制造对光刻技术有何要求？
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光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）
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例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
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解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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① 集成电路（IC）按照集成度的大小可分为小规模集成电路（SSI），中规模集成电路（MSI），大规模集成电路（LSI），超大规模集成电路（VLSI），极大规模集成电路（ULSI），请问哪些单词的缩写是正确的
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EUV属于软X射线，穿透物体时散射吸收非常厉害，因此光刻机内部要求高真空（）
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3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
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基片上光刻胶的厚度对后续的曝光没有影响
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5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？