离子注入

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• 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。

  A . 正确 B . 错误

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• 什么是离子注入损伤？

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• 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。

  A . 正确 B . 错误

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• 离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。

  A . 砷化氢 B . 二硼化氢 C . 三氟化硼 D . 硅烷 E . 氧气

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• 离子注入的沟道效应

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• 对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

  A . 入射离子的能量 B . 入射离子的质量 C . 入射离子的原子序数 D . 靶原子的质量、原子序数、原子密度 E . 注入离子的总剂量

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• 离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。

  A . 正确 B . 错误

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• 离子注入表面改性

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• 油田注入水主要水质标准是铁离子

  A . A、0.1 B . B、0.5 C . C、1.0 D . D、1.5

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• 离子注入后为何退火？

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• 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。

  A . 正确 B . 错误

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• 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。

  A . 正确 B . 错误

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• 离子注入后退火的作用是什么？

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• 离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。

  A . 正确 B . 错误

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• 注入离子在耙内的能量损失的过程？

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• 离子注入后为什么要退火？

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• 离子注入法有哪些优点？

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• 离子注入后为什么要进行退火？

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• 离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。

  A . 砷化氢 B . 二硼化氢 C . 四氟化硅 D . 三氟化磷 E . 五氟化磷

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• 离子注入机可用于微电子线路加工

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• 粒子束注入，离子掺杂可以对材料进行改性

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• 下列描述属于离子注入的特点是（）

  A．不能精确控制杂质分布 B．掺杂分布在平面上非常均匀 C．掩膜材料的选择余地大 D．低温过程 E．横向扩展小

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• 题5、以下不是离子注入特点的是 。

  A．精确控制掺杂剂量 B．精确控制掺杂能量 C．不会产生缺陷甚至非晶化 D．杂质掺杂分布非常均匀

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