N沟道MOS管的转移特性中，下列描述正确的是（）
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热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
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在电子电路中，下列有关稳压管的特性（）正确的。
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对F344/N的特性描述不正确的是（）。
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下列关于水土保持沟道工程的功能描述正确的是（）。
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MOS管的动态特性是什么？受哪些因素影响？尺寸缩小对动态特性的影响是什么？
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一个MOS管的正常导电特性可分为几个区域？
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下面对于语音质量主观评定“MOS分”方法描述正确的是（）。
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根据形成导电沟道载流子类型的不同，MOS管有几种类型？
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N沟道MOSFET管的导通条件是（）。
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下列有关在热转移设备的升温要求中，描述不正确的是（）
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下列关于励磁特性测量的相关描述中，正确的是（）
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HIV特性描述中，下列不正确的是（）。
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按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？
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若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
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简述MOS管的导电沟道是如何形成的。
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按照导电沟道的不同，MOS管可分为（）。
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场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
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当uGS =0时,（）导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
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以下关于MOS管的说法正确的是
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25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
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26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。
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10、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
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