管的正向电压为（)V。
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二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。
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若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是（）V。
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硅管的正向电压为0．2V。
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用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
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硅管的正向电压为（）V。
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一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。
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硅二极管的正向电压约为0.2V。（）
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硅管的正向压降为0.7V。
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二极管的正向特性明显分为两个区域，分别是（）和（）区；对硅管而言，这两个区的电压大致为（）和0.7V。
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在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。
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P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
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二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）
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二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
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特殊二极管的特点及应用两个稳压管的稳压值为6V和9V，正向压降均为0.7V，则用这两只稳压管并联可以组成（）种稳压值的稳压电路
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特殊二极管的特点及应用两个稳压管的稳压值为6V和9V，正向压降均为0.7V，则用这两只稳压管串联可以组成（）种稳压值的稳压电路
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5、有一乙类OCL功放电路，其电源电压VCC=16V，功率管的UCES=2V，RL=10Ω，可得到最大输出功率为（）。
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3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
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在如图所示电路中，已知，硅稳压管的稳定电压为6V，正向导通压降为0.6V，运放为理想运放，则输出电压为下列何值（）
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单相半波可控整流电路的电源电压为220V,进闸管的额定电流要留2倍裕量，则需选购（）的进闸管
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已知串联调整稳压电源的输出直流电压为12V，则串联调整管的耐压应大于 V。
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电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ＝4.3V，晶体管的UBE＝0.7V，R1＝R2＝R3＝300Ω，R0＝5Ω。试估算： （1）输出电压的可调范围； （2）调整管发射极允许的最大电流； （3）若UI＝25V，波动范围为±10％，则调整管的最大功耗为多少。
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电路如图P10.12所示,已知稳压管的稳定电压为6V,最小稳定电流为5mA,允许耗散功率为240mW,输入电压为20~24V,R<sub>1</sub>=360Ω.试问:
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两只硅稳压管的稳压值分别为Uz1=6V，Uz2=9V,其正向压降为0.7V。把它们串联相接可得到几种稳压值？各为多少？
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二极管的正向压降为0.7V,试问:（1)A端接3V,B端接0.3V时;（3)A ,B端均接0.3V时,输出端的电压为几伏？
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