4、关于抑制性突触后电位，以下正确的是

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。

  A . 电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和 B . 有空间总和 C . 是"全或无"的 D . 以电紧张方式扩布

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）。

  A . 是局部去极化电位 B . 具有"全或无"性质 C . 是局部超极化电位 D . 由突触前膜递质释放量减少所致 E . 由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()

  A . A．Cl通道开放可降低IPSP B . B．多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . C．IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . D．IPSP使神经元的兴奋性增加 E . E．IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

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• 关于抑制性突触后电位不正确()

  A . A．不能发生时间和空间总和 B . B．能发生时间和空间总和 C . C．不存在于脊髓反射过程中 D . D．与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . E．可发生在突触前抑制过程中

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• 关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）

  A . Cl 通道开放可降低IPSP B . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . IPSP使神经元的兴奋性增加 E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K 和Cl 的通透性有关

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• 关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）

  A . 突触前轴突末梢超极化 B . 突触后膜对Ca 、K 的通透性增大 C . 突触后膜去极化 D . 突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . 突触后膜对K 、Na ，尤其是K 的通透性增大

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• 以下关于突触后抑制，说法错误的是（）

  A . 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制 B . 突触后膜产生超极化变化 C . 突触后膜产生部分去极化变化 D . 是由突触前末梢释放抑制性递质引起的 E . 可分为回返性抑制和传入性抑制两种

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• 关于抑制性突触后电位不正确（）

  A . 不能发生时间和空间总和 B . 能发生时间和空间总和 C . 不存在于脊髓反射过程中 D . 与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . 可发生在突触前抑制过程中

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）

  A . 电位大小随刺激的强度改变 B . 有时间总和 C . 有空间总和 D . 是"全或无"的 E . 以电紧张方式扩布

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• 引起抑制性突触后电位的是由于（）

  A . 前膜去极化B . 前膜释放抑制性递质C . 后膜Clhttps://assets.asklib.com/psource/20169212209548327.gif 内流D . 后膜超极化E . 后膜去极化

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• 关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()

  A . A．突触前轴突末梢超极化 B . B．突触后膜对Ca、K的通透性增大 C . C．突触后膜去极化 D . D．突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . E．突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

  A . A．是局部除极化电位 B . B．具有"全或无"性质 C . C．是局部超极化电位 D . D．由突触前膜递质释放量减少所致 E . E．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 关于兴奋性突触后电位性质的描述，正确的是 【 】

  A．去极化局部电位 B．具有全或无性质 C．超极化局部电位 D．突触前膜递质释放量减少所致 E．突触后膜Na+通透性增加所致

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• 关于兴奋性突触后电位，下列叙述正确的是（）。

  A．突触后膜对Ca2+通透性较高 B．总是会引起动作电位的发生 C．重复刺激下可发生时间总和 D．突触后膜对Na+通透性较高 E．兴奋性突触后电位是突触前神经冲动引起的全或无反应

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• 突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大

  A．兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大

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• 关于抑制性突触后电位（IPSP)，下述哪项正确:（)

  A．多由抑制性中间神经元返回的冲动产生 B．Cl-通道开放可降低IPSP C．IPSP常由乙酰胆碱受体通道传递 D．IPSP使神经元的兴奋性增加 E．神经元产生去极化性抑制

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• 抑制性突触后电位在突触后电位变化呈现（）

  A．极化 B．去极化 C．反极化 D．复极化 E．超根化

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述（）

  A．是局部去极化电位 B．具有“全或无”性质 C．是局部超极化电位 D．由突触前膜递质释放量减少所致 E．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）

  A．是局部去极化电位 B．具有全或无性质 C．是局部超极化电位 D．是突触前膜递质释放量减少所致 E．是突触后膜Na+通透性增加所致

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• 下列关于兴奋性突触后电位的叙述，正确的是（）

  A．是由突触前神经元释放抑制性递质而引起 B．性质上属于动作电位，但幅度较小 C．重复刺激可发生时间总和 D．通过突触后膜 K通道开放而产生 E．突触后神经元受刺激兴奋

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• 下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（）

  A．a2+由膜外进入突触前膜内 B．突触前末梢去极化 C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D．突触后膜对K+、Cl-或Cl-的通透性升高 E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

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