关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）

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• 抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。

  A . Na 内流 B . K 内流 C . Ca 内流 D . Cl 内流 E . K 外流

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。

  A . 电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和 B . 有空间总和 C . 是"全或无"的 D . 以电紧张方式扩布

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）。

  A . 是局部去极化电位 B . 具有"全或无"性质 C . 是局部超极化电位 D . 由突触前膜递质释放量减少所致 E . 由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()

  A . A．Cl通道开放可降低IPSP B . B．多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . C．IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . D．IPSP使神经元的兴奋性增加 E . E．IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

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• 关于抑制性突触后电位不正确()

  A . A．不能发生时间和空间总和 B . B．能发生时间和空间总和 C . C．不存在于脊髓反射过程中 D . D．与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . E．可发生在突触前抑制过程中

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• 关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）

  A . Cl 通道开放可降低IPSP B . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . IPSP使神经元的兴奋性增加 E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K 和Cl 的通透性有关

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• 产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）

  A . 突触前末梢递质释放减少 B . 突触后膜Ca 电导降低 C . 突触后膜Na 电导降低 D . 中间神经元受抑制 E . 突触后膜发生超极化

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• 可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）

  A . K B . H C . Ca D . Cl E . Na

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• 关于抑制性突触后电位不正确（）

  A . 不能发生时间和空间总和 B . 能发生时间和空间总和 C . 不存在于脊髓反射过程中 D . 与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . 可发生在突触前抑制过程中

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）

  A . 电位大小随刺激的强度改变 B . 有时间总和 C . 有空间总和 D . 是"全或无"的 E . 以电紧张方式扩布

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• 关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()

  A . A．突触前轴突末梢超极化 B . B．突触后膜对Ca、K的通透性增大 C . C．突触后膜去极化 D . D．突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . E．突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

  A . A．是局部除极化电位 B . B．具有"全或无"性质 C . C．是局部超极化电位 D . D．由突触前膜递质释放量减少所致 E . E．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 抑制性突触后电位产生的离子机制是（）

  A . Na 内流 B . K 内流 C . Ca 内流 D . CI 内流 E . K 外流

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• 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？

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• 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性？

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• 4、关于抑制性突触后电位，以下正确的是

  A．是局部去极化电位 B．是局部超极化电位 C．由突触前膜递质释放量减少所致 D．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 除哪项以外,均为快抑制性突触后电位产生过程？（）

  A．突触后膜膜内电位升高 B．Ca²⁺由膜外进入突触前膜内 C．突触后膜对Cl^-通透性升高 D．突触小泡释放递质,并与后膜受体结合

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• 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致()

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• 关于抑制性突触后电位（IPSP)，下述哪项正确:（)

  A．多由抑制性中间神经元返回的冲动产生 B．Cl-通道开放可降低IPSP C．IPSP常由乙酰胆碱受体通道传递 D．IPSP使神经元的兴奋性增加 E．神经元产生去极化性抑制

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• 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致（）

  A．Na+、Cl-、K+，尤其是K+ B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+ C．Na+、K+，尤其是Na+ D．Cl-，尤其是Cl-

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述（）

  A．是局部去极化电位 B．具有“全或无”性质 C．是局部超极化电位 D．由突触前膜递质释放量减少所致 E．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（）

  A．a2+由膜外进入突触前膜内 B．突触前末梢去极化 C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D．突触后膜对K+、Cl-或Cl-的通透性升高 E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

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