关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。

  A . 电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和 B . 有空间总和 C . 是"全或无"的 D . 以电紧张方式扩布

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）。

  A . 是局部去极化电位 B . 具有"全或无"性质 C . 是局部超极化电位 D . 由突触前膜递质释放量减少所致 E . 由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。

  A . K 、Cl ，尤其是K B . Na 、Cl ，尤其是Na C . K 、Cl ，尤其是Cl D . Ca 、Cl ，尤其是Ca E . Na 、Cl ，尤其是Cl

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• 关于抑制性突触后电位不正确()

  A . A．不能发生时间和空间总和 B . B．能发生时间和空间总和 C . C．不存在于脊髓反射过程中 D . D．与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . E．可发生在突触前抑制过程中

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• 关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）

  A . Cl 通道开放可降低IPSP B . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . IPSP使神经元的兴奋性增加 E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K 和Cl 的通透性有关

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• 产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）

  A . 突触前末梢递质释放减少 B . 突触后膜Ca 电导降低 C . 突触后膜Na 电导降低 D . 中间神经元受抑制 E . 突触后膜发生超极化

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• 关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）

  A . 突触前轴突末梢超极化 B . 突触后膜对Ca 、K 的通透性增大 C . 突触后膜去极化 D . 突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . 突触后膜对K 、Na ，尤其是K 的通透性增大

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• 关于抑制性突触后电位不正确（）

  A . 不能发生时间和空间总和 B . 能发生时间和空间总和 C . 不存在于脊髓反射过程中 D . 与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . 可发生在突触前抑制过程中

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）

  A . 电位大小随刺激的强度改变 B . 有时间总和 C . 有空间总和 D . 是"全或无"的 E . 以电紧张方式扩布

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• 下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征（）。

  A . 突触前膜均去极化 B . 突触后膜均去极化 C . 突触前膜释放的递质性质一样 D . 突触后膜对离子通透性一样

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• 关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()

  A . A．突触前轴突末梢超极化 B . B．突触后膜对Ca、K的通透性增大 C . C．突触后膜去极化 D . D．突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . E．突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

  A . A．是局部除极化电位 B . B．具有"全或无"性质 C . C．是局部超极化电位 D . D．由突触前膜递质释放量减少所致 E . E．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 4、关于抑制性突触后电位，以下正确的是

  A．是局部去极化电位 B．是局部超极化电位 C．由突触前膜递质释放量减少所致 D．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 除哪项以外,均为快抑制性突触后电位产生过程？（）

  A．突触后膜膜内电位升高 B．Ca²⁺由膜外进入突触前膜内 C．突触后膜对Cl^-通透性升高 D．突触小泡释放递质,并与后膜受体结合

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• 抑制性突触后电位的形成其突触后膜出现（）

  A．超极化 B．去极化 C．反极化 D．复极化 E．超射

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• 突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大

  A．兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大

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• 关于抑制性突触后电位（IPSP)，下述哪项正确:（)

  A．多由抑制性中间神经元返回的冲动产生 B．Cl-通道开放可降低IPSP C．IPSP常由乙酰胆碱受体通道传递 D．IPSP使神经元的兴奋性增加 E．神经元产生去极化性抑制

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• 抑制性突触后电位在突触后电位变化呈现（）

  A．极化 B．去极化 C．反极化 D．复极化 E．超根化

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述（）

  A．是局部去极化电位 B．具有“全或无”性质 C．是局部超极化电位 D．由突触前膜递质释放量减少所致 E．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）

  A．是局部去极化电位 B．具有全或无性质 C．是局部超极化电位 D．是突触前膜递质释放量减少所致 E．是突触后膜Na+通透性增加所致

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• 下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（）

  A．a2+由膜外进入突触前膜内 B．突触前末梢去极化 C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D．突触后膜对K+、Cl-或Cl-的通透性升高 E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

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