半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
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温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
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说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
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迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
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硅的电阻率与掺杂浓度有关。
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杂质半导体中少数载流子浓度（）
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如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？
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半导体受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而导致材料的电导率增大，称为（）效应。
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
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杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
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对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
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对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。
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制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现（）差最大。
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对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
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◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
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有三种不同材料的导体薄片，它们的载流子浓度之比为1:2:3，厚度之比也为1;2:3，当通过它们的电流I相同、垂直于它们的磁感应强度B也相同时，则它们的霍尔电势差之比为
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半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
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1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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