迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
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半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()
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表示导体导电能力的物理参数是()
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
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P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
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硅半导体的导电过程存在()和空穴两种载流子。
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N型半导体导电主要依靠的载流子是()。
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半导体中参与导电载流子是()
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P类半导体中,参加导电的多数载流子是()。
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半导体材料导电能力的大小,由半导体内载流子的数目决定。
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N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。
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反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是()。
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部类半导体中,参加导电的多数载流子是()。
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在本征半导体中掺微量的三价元素,就称为P型半导体,其多数载流子是空穴,少数载流子是(________),它主要依靠多数载流子导电。
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半导体三极管有()载流子同时参与导电。
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半导体BJT三极管有( )载流子同时参与导电。
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◑在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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在一定温度下,半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方,而与掺杂无关。
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化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有();()、数载流子移动度i以及扩散长度L,特别是在太阳能电池中,复合效果也是重要的参数。
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半导体材料受到应力作用时,其电阻率会发生变化,这种现象称为()。其是因在外力作用下,原子点阵排列发生变化,导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的,由于半导体(如单晶硅)是各向异性材料,因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向(晶面的法线方向)有关。
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1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 () A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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半导体的导电特性及PN结P型半导体中少数载流子是()
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半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,也称半绝缘体()
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7、在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。
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27、半导体中,电子和空穴都参与导电,都是载流子。
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