侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。
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多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。
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一般在蚀刻操作中蚀刻和再生是同时进行的。
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蚀刻过程中为使加速蚀刻反应正向进行的措施有（）。
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酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定，容易控制。
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酸性氯化铜蚀刻液的再生的最好的方法是双氧水再生法。
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湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的，腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。
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在蚀刻过程中，添加某些添加剂可以降低侧蚀程度。
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酸性氯化铜蚀刻体系中常用的氯化物的种类为（）。
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晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20µm厚的表面层。
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蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高，蚀刻速率加快。
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碱性氯化铜蚀刻液的再生的最常用的方法是空气再生法。
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通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液（）。
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蚀刻液的种类有（）。
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鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于（）。
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在印制板的蚀刻操作中，希望有较高的蚀刻系数。
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在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻不足的原因可能有（）。
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浸泡式蚀刻通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液。
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侧蚀严重时会造成电路（）。当铜箔厚度相同时，可用侧蚀宽度来比较侧蚀的大小，衡量蚀刻质量的优劣，侧蚀宽度（），蚀刻质量越差。
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蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。
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在湿法蚀刻中，侧蚀是不可避免的，所以镀层突沿总是存在的。
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下列蚀刻系数数字中表示侧蚀最严重的是（）。
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能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。
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喷淋蚀刻中使用的喷嘴的类型有（）。
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在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻过度的原因可能有（）。
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