一般在蚀刻操作中蚀刻和再生是同时进行的。
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碱性氯化铜蚀刻液中氯化铵浓度偏低时,蚀刻速率慢,溶液稳定性差。
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碱性蚀刻中蚀刻不足可能是喷淋压力不足造成,其解决方式为()。
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蚀刻过程中为使加速蚀刻反应正向进行的措施有()。
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侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。
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属于酸性蚀刻液再生的方法有()。
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酸性氯化铜蚀刻液的再生的最好的方法是双氧水再生法。
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板子在蚀刻机内部进行蚀刻时,其位置放置形式有()。
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在酸性氯化铜蚀刻液体系的再生方法中,由于氯气是强氧化剂,直接通氯气是再生的最好方法。是因为()。
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湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的,腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。
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在蚀刻过程中,添加某些添加剂可以降低侧蚀程度。
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酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。
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晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种,其中酸性蚀刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸当缓冲剂,一般去除约10-20µm厚的表面层。
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蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高,蚀刻速率加快。
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碱性氯化铜蚀刻液的再生的最常用的方法是空气再生法。
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鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于()。
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终端铭牌标志应清晰,可采用自动喷码或激光蚀刻等方式;不允许采用不干胶进行粘贴,在使用寿命内不应褪色。
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在印制板的蚀刻操作中,希望有较高的蚀刻系数。
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在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻不足的原因可能有()。
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随着蚀刻反应的不断进行,蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。
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碱性蚀刻液再生方法有()。
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在湿法蚀刻中,侧蚀是不可避免的,所以镀层突沿总是存在的。
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干法蚀刻通常指利用辉光放电方式,产生等离子体来进行图案转移的蚀刻技术。其中等离子体含有()。
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酸性氯化铜蚀刻若操作体系的温度太高,会使()。
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在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻过度的原因可能有()。
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