湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的，腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。
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多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。
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碱性氯化铜蚀刻液中氯化铵浓度偏低时，蚀刻速率慢，溶液稳定性差。
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一般在蚀刻操作中蚀刻和再生是同时进行的。
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酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定，容易控制。
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侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。
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酸性氯化铜蚀刻液的再生的最好的方法是双氧水再生法。
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板子在蚀刻机内部进行蚀刻时，其位置放置形式有（）。
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晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20µm厚的表面层。
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在涂装前，用弱酸溶液处理锌称为蚀刻溶液。
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蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高，蚀刻速率加快。
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碱性氯化铜蚀刻液的再生的最常用的方法是空气再生法。
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蚀刻溶液中的氧化剂为（）。
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给水系统中最易发生的金属腐蚀是（）。其特征（）是腐蚀，主要发生（）在和（）部位。
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湿法保养时，碱性保护溶液不得二次补加，以防止造成腐蚀。
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蚀刻液的种类有（）。
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所有蚀刻工具要么是针嘴的，要么是平刃的。但是，有些平刃的蚀刻工具用于雕刻，有些不是。另一方面，所有针嘴的蚀刻工具都用于雕刻。因此，用于雕刻的蚀刻工具比不用于雕刻的蚀刻工具多。如果以下哪项陈述为真，能合乎逻辑地得出上述论证的结论？（）
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侧蚀严重时会造成电路（）。当铜箔厚度相同时，可用侧蚀宽度来比较侧蚀的大小，衡量蚀刻质量的优劣，侧蚀宽度（），蚀刻质量越差。
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湿法蚀刻具有以下哪些缺点（）。
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印制电路板中的图形蚀刻是指用化学溶液去掉铜箔而得到所需的电路图形的过程。
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在湿法蚀刻中，侧蚀是不可避免的，所以镀层突沿总是存在的。
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碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。
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湿法蚀刻的方式主要有（）。
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金属与酸、碱、盐等电解质溶液接触时发生化学反应而引起的腐蚀，称为（），它的特点是腐蚀过程中有电流产生。
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化学加工可分为成形加工和表面加工。属于成形加工的主要有化学铣削（化学蚀刻)和光化学腐蚀加工法，属于表面加工的有化学抛光和化学镀膜等。（)
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