在结晶过程中,杂质对晶体成长速率()。
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在Tg~Tm温度范围内,常对制品进行热处理以加速聚合物的二次结晶或后结晶的过程,热处理为一松弛过程,通过适当的加热能促使()加速重排以提高结晶度和使晶体结构趋于完善。通常热处理的温度控制在聚合物最大结晶速度的温度Tmax。
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结晶操作时,溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时,晶核生成(),()生长为()。
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金属从一种固态晶体结构转变成另一种固态晶体结构的过程称为重结晶,下列转变中()属于重结晶转变。
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在同样的过饱和度下,较高温度时晶体成长的速率与晶核生成速率相比要()。
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在低温结晶时,晶体成长速率主要受()控制。
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碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时,由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要(),因此所得成品粒度会()。
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结晶的外因条件是指熔体在成型过程中的冷却速率快慢。
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干燥过程中,例如盐、糖等结晶体,只要提高空气温度,降低相对湿度干燥速率可以(),是属于()过程。
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结晶操作时,冷却速度对结晶过程有较大的影响,当缓慢冷却时结晶()而晶体()。
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熔池结晶过程中,晶粒成长的方向以及平均线速度都是变化的,晶粒成长线速度在焊缝中心最大,在熔合线上最小,等于()
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结晶过程中形成的晶体越小越容易过滤
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重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同,将晶体用合适的溶剂再次结晶,以获得高纯度的晶体的操作。
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结晶过程中,晶粒成长的方向以及平均线速度都是变化的,晶粒成长线速度在焊缝中心最大,在熔合线上最小,等于()
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干燥过程中,例如盐、糖等结晶体,只要提高空气温度,降低空气相对湿度,干燥速率可以提高,是属于()
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溶质从溶液中结晶出来,要经历两个步骤。首先要产生被称为晶核的微小晶粒作为结晶的核心,这个过程称为()。然后晶核长大,成为宏观的晶体,这个过程称为()。这两个过程,都必须以浓度差即溶液的()作为推动力,它的大小直接影响成核和晶体成长过程的快慢,而这两个过程的快慢又影响晶体产品的粒度分布。
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有哪些因素影响晶体成长速率?
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()不是影响硫铵结晶于母液中成长速率和晶形的因素。
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下列哪些因素不能影响晶体成长速率()。
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结晶过程中,较高的过饱和度,可以()晶体。
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在熔池结晶过程中,沿各个方向均匀长大的颗粒晶体称为()。
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金属晶体结晶时,晶核生长速率与动态过冷度成正比,则( )。
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再结晶和重结晶过程都有成核和长大两个过程,主要区别在于有没有晶体结构的改变和新相产生。此题为判断题(对,错)。
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对于相等的结晶产量,若在结晶过程中品核的形成速度远大于品体的成长速度,则产品中品体的形态及数量分别为()
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硫铵结晶过程中形成的晶体越小越容易过滤。()
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