测量变压器绝缘的Cx和tanδ时，如旁边放以木梯，木梯的耦合阻抗对测量结果有怎样的影响？
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测量变压器绕组绝缘的tgδ时，非被试绕组应（）。
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对运行中的电力变压器作预防性试验时，测量tanδ尽量在油温低于（）时进行。
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变压器交接试验时，被测绕组的tanδ值不宜大于产品出厂试验值的（）%。
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测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，影响测试结果的因数包括（）。
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当电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻小于1000MΩ时，应测量末屏对地tanδ，其值不大于（）%。
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电流互感器出厂试验，对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏（末屏），在测量电压为3kV下的介质损耗因数（tanδ）允许值不应大于（）。
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用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
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tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。
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（）及以下设备经交接试验后超过12个月未投入运行，或运行中设备停运超过12个月的，在投运前应进行测量绝缘电阻、tanδ、绝缘油的水分和击穿电压、绝缘气体湿度等试验。
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测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，应符合以下规定（）
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500kV变压器注入绝缘油介质损耗因素tanδ90℃时，不应大于（）。
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测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。
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110kV～220kV变压器绕组连同套管的tanδ值在20℃时（）合格。
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用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时，如连接试品的Cx引线过长，则应从测得值中减去引线引入的误差值，此误差值为（）。（其中C0为Cx引线增长部分的电容值；R3为测试时桥臂R3的读数；R4为桥臂R4的值）。
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用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况。
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测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，消除电场干扰影响的方法中使用移相器改变试验电压的相位，在试验电流与干扰电流相同和相反两种情况下分别测量tanδ的方法称为选相倒相法。()
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绝缘油90℃时，注入电气设备前，介质损耗因数tanδ（%）≤0.7；注入电气设备后，介质损耗因数tanδ（%）≤0.5（）
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一般认为，电力变压器绕组tanδ测试时的温度以____为宜。
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在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
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某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ，采用的电压频率f=50Hz，电桥内的电阻R4取3184Ω，调节电阻R3及电容C4使检流计指零，此时电容C4的电容量为0.08F，则介质损耗正切值tanδ为（）
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测量 tanδ能有效判别设备绝缘中的一些集中性缺陷（）
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对于电容量较大的试品（例如套管、互感器等），测量tan δ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较小的试品（例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量tanδ只能发现整体分布性缺陷。
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谐振法测量Cx和tanδ的频率范围为：
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测量变压器绕组绝缘的tanδ时，非被试绕组应短接。
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