寄生晶体管击穿
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MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
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晶体二极管的伏安特性曲线由正向特性、反向特性、反向击穿电压三部分组成。
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GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏的主要原因。二次击穿将造成GTR的永久性损坏，不具有可逆性。发生二次击穿必须同时具备三个条件，即高电压、大电流和（）。
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对于晶体管来说，降低寄生效应的版图设计技术有哪些？
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单电源驱动电路的二极管VD和电阻RD组成放电回路，以防止晶体管（）可能造成的管子击穿。
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荧光灯晶体管逆变器在工作中损坏的原因，多数是由于（）被较高的电压击穿的缘故。
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绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。
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晶体管图示仪在使用时，应合理选择峰值电压范围开关档位。测量时，应先将峰值电压调节旋钮调到（），测量时逐渐调大，直至调到曲线出现击穿为止。
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晶体三极管的特性可分为（）特性和（）特性及反向击穿特性。
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晶体管的集电极与发射极之间的正反向阻值都应大于（），如果两个方向的阻值都很小，则可能是击穿了。
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如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
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功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射级允许最高击穿电压线，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。
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什么是MOS晶体管的有源寄生效应？
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电力晶体管在使用时要防止二次击穿。
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如果晶体二极管的止反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管已被击穿。
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用晶体管图示仪观察晶体三极管二次击穿前所出现的主要征兆有哪两种？
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什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？
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在晶体管的BVCBO、BVCEO、BVEBO这3个击穿电压中，BVCBO的值最大。 ()此题为判断题(对，错)。
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当晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。（）
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由于晶体管存在寄生电容Cb'c在高频时形成内反馈，从而影响到调谐放大器工作的稳定性。（)
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集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约（)左右。A
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一个硅二极管反向击穿电压为 150伏，则其最高反向工作电压为（）。 （晶体管）
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晶体二极管的最高反向工作电压是指晶体二极管两端的反向电压不能超过规定的电压所允许的值。如超过这个允许值，将可能击穿。（）
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晶体二极管的最高反向电压为反向击穿电压值的（）
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