现场测量tgδ时，往往出现－tgδ，阐述产生－tgδ的原因？
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测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
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测量变压器绕组绝缘的tgδ时，非被试绕组应（）。
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
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不拆线测量电容式电压互感器tgδ及电容量时，需要注意哪些事项？（）
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测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
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试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()
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测量变压器的套管tgδ时，严格要求表面状况（）。
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试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）。
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用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）
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采用（）的方法能消除tgδ测量的磁场干扰。
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测量110kV干式电流互感器tgδ时，适宜采（）。
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用西林电桥测量tgδ时，若有磁场干扰，试述其消除方法？
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当测量电流互感器的tgδ时，选用电压为10KV的变压器容量为（）KVA。
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500kV电容式电压互感器不拆高压引线测量tgδ时，适用的方法不包括（）。
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用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。
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在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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测量tgδ常用（）、（）（介质试验器）或（）来测量。
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绘图题：画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。
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当绝缘受潮、老化时，有功电流IR将增大，tgδ也增大。通过测量tgδ很灵敏地反映出绝缘的集中缺陷。
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测量tgδ时，如果发现有外界电磁场的干扰，通常采取什么措施以保证测量的顺利进行？
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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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在350C测得的绝缘油的tgδ为（）%时应对试油进行升温测量
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现场在强电场干扰下测量电介质的tgδ目前采用的方法有（）