硅片上的氧化物主要通过()和()的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为()。
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气体扩散法是将含()的气体在高温下向硅片进行扩散,形成(),一般都用这一方法。
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表面起伏的硅片进行平坦化处理,主要采用将低处填平的方法。
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硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用()系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
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光伏发电产业链从上游到下游,主要包括的产业链条包括多晶硅、硅片和()
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在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。
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对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。
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把一对反并联的晶闸管集成在同一硅片上的器件为()。
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暴露在高温的氧气氛围中,硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
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每18个月,同样硅片面积上的晶体管数目翻一番,这个在信息领域广泛引用的是什么定律?
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CMP是一种表面()的技术,它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面,在硅片和抛光头之间有(),并同时施加()。
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下列不是硅片主要切片方法的是()。
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在硅片的抛光过程中,下列因素中不是影响粗抛的主要因素是()。
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将一个晶闸管和一个二极管反并联集成在同一硅片上的器件为()。
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当硅片暴露在空气中时,会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
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硅片研磨及清洗后腐蚀的方法有哪些?
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采用提拉法(CZ法,切克劳斯基法)和区熔法制备的硅片,哪种方法质量更高,为什么?那么目前8英寸以上的硅片,经常选择哪种方式制备,为什么?
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正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()
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用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料,是形成电极的()。
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CD是指硅片上的最小特征尺寸。
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沾污引起的电学缺陷引起(),硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。
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位错可以在晶体生长和硅片制备过程中的任意阶段产生()
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单晶组件EL测试时时常有黑芯片出现,黑芯片主要与硅片的杂质浓度和位错密度有()
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在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即()和()。
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