在一定的温度条件下，如果二极管的导通电压增大，则反向饱和电流也增大。（）
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硅二极管的导通电压是0.7V（）
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
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在二极管上加的反向电压达到一定数值时，反向电流急剧增大，这一现象称为（）。
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在使用数字式汽车专用万用表检查某根导线的导通性时，技术人员甲说万用表的欧姆档的蜂鸣功能来进行检测，如果万用表能发出蜂鸣声，则说明导线的导通性是完全合格的；技术人员乙用万用表的电压档测量导线在通电状态下两端的电压降，如果电压降小于0.1V，说明导线的导通性是完全合格的，请问谁的检测方法更准确一些？（）
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在设计压力、压气站压比等因素一定的条件下，若输气管道内径增大1倍，则其输气能力增大（）。
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在容器不变的密闭容器中，在一定条件下发生反应：2A（g）＝B（g）+C（S），且达到化学平衡，当升高温度时其容器内气体的密度增大，则下列判断正确的是（）
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二极管的导通电压都是0.7V。
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晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
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二极管反向电流的大小与温度有关，在一定的温度范围内温度升高，反向电流减少。
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三极管的导通电压为（）。
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硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
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二极管反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。
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3、在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。
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晶体二极管的导通电压为0.7V。此题为判断题(对，错)。
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二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5μA，温度每升高10oC，其反向饱和电流值增大1倍，当温度为30oC时，反向饱和电流值为（）
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硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；
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当二极管反向电压持续增大到一定数值以后，反向电流会突然增大，此现象称二极管的（)。
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（）当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时，三极管处于截止状态
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三极管如果有基极电流的话，其BE极电压必须大于二极管的导通电压，如果是常用的硅三极管，这个导通电压大约是（）伏。
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二极管的反向击穿电压大小于温度有关，温度升高反向击穿电压增大。（）
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晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）
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当加到二极管上的反向电压增大到一定的数值时，反向电流会突然增大，该反向电压值被称为反向击穿电压，此现象被叫做反向击穿现象（）
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1、三极管如果有基极电流的话，其BE极电压必须大于内部二极管的导通电压，如果是常用的硅三极管，这个导通电压大约是（）伏。
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