三极管的导通电压为()。
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硅二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
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硅二极管的正向导通电压为()伏左右。
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硅管的导通电压约为0.3V。
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硅二极管的导通电压是0.7V()
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锗二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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从二极管伏安特性看,当()时,二极管的导通电阻小.
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锗三极管发射结的正向导通电压为()。
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硅管的导通电压为()
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二极管的导通电压都是0.7V。
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硅二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
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晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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硅二极管正向导通电压为__ __伏,锗二极管正向导通电压为___伏。
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图中两个二极管的导通电压为0.7V,请判断VD1、VD2是导通还是截止?http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/f038304d2494d5d5326df3ea6918c277.jpg
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电路如图所示,V,其中二极管导通电压为0.7伏,VREF=3V,如果使用横压降模型分析,vo的最大电压是()8685cf534020365be160df71de251b01.PNG/ananas/latex/p/509350
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在一定的温度条件下,如果二极管的导通电压增大,则反向饱和电流也增大。()
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15、VDMOSFET的导通电阻由()构成。
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晶体二极管的导通电压为0.7V。此题为判断题(对,错)。
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硅元素二极管的导通电压约为();锗元素二极管的导通电压约为();
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()当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时,三极管处于截止状态
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三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
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晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约0.7V,锗管发射结的导通电压约0.3V()
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1、三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于内部二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
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