15、VDMOSFET的导通电阻由（）构成。

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• 在谐振型开关电源中，由于功率开关管实现了（）或（）切换，因此基本上消除了；同时由于功率开关管的导通电阻非常小，所以（）也非常小。

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• MOSFET的导通电阻非常小，所以导通损耗也非常小。

  A . 正确 B . 错误

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• 硅管的导通电压约为0．3V。

  A . 正确 B . 错误

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• 硅二极管的导通电压是0.7V（）

  A . 正确 B . 错误

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• 自然大调式的导音上构成的七和弦是（）。

  A . 大小七和弦 B . 小七和弦 C . 半减七和弦 D . 减七和弦

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• 晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

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• 从二极管伏安特性看，当（）时，二极管的导通电阻小.

  A . 正向特性曲线陡直 B . 正向特性曲线平缓 C . 反向特性曲线陡直 D . 反向特性曲线平缓

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  A . 甲更准确 B . 乙更准确 C . 两人一样准确 D . 两人都不准确

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• 硅管的导通电压为（）

  A . 为0.3V B . 为0.7V C . 约为0.7V D . 约为0.3V

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• 二极管的导通电压都是0.7V。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

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• 三极管的导通电压为（）。

  A . 硅管0.3V B . 锗管0.7V C . 硅管0.7V D . 硅管0.5V E . 锗管0.3V

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• 在丰田汽车磁脉冲式无触点电子点火系统电路中，无信号电压输出时Up的设计值应低于晶体管V4的导通电压。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体二极管的导通电压为0.7V。此题为判断题(对，错)。

  是 否

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• 硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；

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• 所谓通电时间即点火线圈一次侧电路的导通时间。()

  对 错

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• （）当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时，三极管处于截止状态

  是 否

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• 三极管如果有基极电流的话，其BE极电压必须大于二极管的导通电压，如果是常用的硅三极管，这个导通电压大约是（）伏。

  A．0.3 B．0.4 C．0.7 D．0.8

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• 在连接端子热循环测试：通电45分钟，接着断电15分钟作为一个循环，进行500个循环的导通电流测试。任意测试一个母端子第500个循环的温升不能高于第24个循环的温升0C.而且两者的温升都不能高于0C。（)

  A．A.30℃、130℃ B．B.15℃、100℃ C．C.30℃、85℃ D．D.15℃、85℃

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• 晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）

  是 否

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• 25、对于VDMOSFET来说，门极宽度对导通电阻没有影响。

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• 1、三极管如果有基极电流的话，其BE极电压必须大于内部二极管的导通电压，如果是常用的硅三极管，这个导通电压大约是（）伏。

  A．0.3 B．0.2 C．0.7 D．0.8

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