在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

相似题目

• 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

  A . 刻蚀 B . 氧化 C . 淀积 D . 光刻

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• 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

  A . 气体 B . 等离子体 C . 固体 D . 液体

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• 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

  A . n型掺杂区 B . P型掺杂区 C . 栅氧化层 D . 场氧化层

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• 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。

  A . 正确 B . 错误

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• 为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

  A . 多晶硅 B . 单晶硅 C . 铝硅铜合金 D . 铜

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• 与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。

  A . 正确 B . 错误

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• 在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。

  A . 正确 B . 错误

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• STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？

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• 光刻和刻蚀的目的是什么？

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• 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

  A . 光刻胶 B . 衬底 C . 表面硅层 D . 扩散区 E . 源漏区

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• 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。

  A . 正确 B . 错误

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• 微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

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• 硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。

  A . 体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工； B . 体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工； C . 体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；

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• 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

  A . 铜 B . 铝 C . 金 D . 二氧化硅

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• 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

  A . 二氧化硅氮化硅 B . 多晶硅硅化金属 C . 单晶硅多晶硅 D . 铝铜 E . 铝硅

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• 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

  A . 刻蚀速率 B . 选择性 C . 各向同性 D . 各向异性

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• 铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

  A . 等离子体刻蚀 B . 反应离子刻蚀 C . 湿法刻蚀 D . 溅射刻蚀

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• 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。

  A . 正确 B . 错误

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• 在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。

  A . 正确 B . 错误

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• 不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。

  A . A.CHF B . B.C F C . C.C F D . D.HF

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• 5、湿法刻蚀的分辨率比干法刻蚀的分辨率高。

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• 湿法刻蚀刻蚀槽中溶液主要成分包括______

  A．HF B．NaOH C．HNO3 D．H2SO4

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• 3、铝进行干法刻蚀时，常常采用哪种物质？

  A．BClx和Cl2 B．HF C．HCl D．SF2

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• 什么是干法刻蚀？什么是湿法腐蚀？两者所形成的刻蚀剖面有何区别？

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