5、光刻工艺中常用的光源是
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光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
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超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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光纤通信系统中常用的光源主要有（）
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光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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在原子吸收分光光度计中，目前常用的光源是（）。
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光刻工艺分为哪些步骤？
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微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
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光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
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紫外-可见分光光度计中常用的光源有（）。
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光刻工艺包括哪些工艺？
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原子吸收分光光度计中最常用的光源是（）。
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46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
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摄影中常用的人工光源有（)。
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简要叙述光刻工艺的流程及每一步的作用？
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原子发射光谱常用光源中，产生自吸现象最小的是等离子体光源。
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3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
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波长（λ）下列哪些波长是光刻工艺中常用的（）
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4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
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5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？
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16、光刻的工艺要求是： 。
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