硅二极管的工作电压为()。
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二极(硅)管的死区电压为()。
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硅二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
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硅二极管的型号为ZP100—8F,指的是其额定电流为100A,额定电压800V,正向平均电压(),()的硅整流二极管。
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硅二极管的死区电压一般为0.2V。
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一个硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为()。
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硅二极管的死区电压一般为()伏。
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硅二极管的死区电压约为()。
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当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。
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某型硅整流二极管的型号为ZP100-8F,指的是其额定电压为()。
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管并联在负载两端来稳定负载电压。()
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一个硅二极管反向击穿电压为 150伏,则其最高反向工作电压为()。 (晶体管)
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的反向电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管并联接在负载两端来稳定负载电压。()
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当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()
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当加在硅二极管两端的正向电压从0 V 开始逐渐增加时,硅二极管()
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硅二极管死区电压为()V。
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