一导体盘的半径为a,厚度为.电导率为σ,将其放在相对盘轴z对称的磁场B中:（1)确定空间的感应电场:
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一无损耗同轴电缆，其内导体的半径为a，外导体的内半径为b，外导体很薄，其中的储能可以忽略不计，通过的电流为I。内外导体间媒质的磁导率为μ，介电常数为ε。该同轴电缆单位长度的自感应为（）。
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一导体球外充满相对介电常数为εr的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度σ为（）
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半径为a的导体圆柱外面，套有一半径为b的同辅导体圆筒，长度都是L，其间充满介常量为 的均匀介质。圆柱带电Q，圆筒带电-Q。忽略边缘效应。（1）试求整个介质内的电场总能量W；（2）试证明 ，式中C为圆柱和圆筒间的电容。
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有一相对磁导率为500的环形铁芯,环的平均半径为10cm,在它上面均匀地密绕着360匝线圈,要使铁芯中的磁感应强度为0.15T,应在线圈中通过的电流为
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如图15—4所示，一个“无限大”均匀带电平面A，其附近放有一个与它平行、有一定厚度的“无限大”导体平板B．已知A上的面电荷密度为+σ，则在导体平板B的两个表面1和2上的感生面电荷密度分别为()．
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在一个圆柱形电容器中，置有两层同轴的绝缘体，其内导体的半径为3cm，外导体的内半径为12cm，内、外两绝缘层的厚度分别为3cm和6cm。内、外导体间的电压为270V(以外导体为电位参考点)。设有一很薄的金属圆柱片放在两层绝缘体之间，为了使两绝缘体内的最大场强相等，金属圆柱片的电位应为()。
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如图4.6所示，电荷面密度为σ1的均匀带电无限大板A旁边有带电导体B，今测得导体表面靠近P点处的电荷面密度为σ求：
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已知铜为良导体，其电导率为σ=5.8x10^7S／m,为屏蔽电子干扰，某实验室拟采用0.7mm的铜皮包裹，则以下哪个频率的无线电能对该实验室产生干扰（)。
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有一圆柱形导体，截面半径为a，电阻率为ρ，有电流I<sub>p</sub>均匀分布于截面内，求：（1)导体内距轴线为r处某点的E的大小和方向;（2)该点H的大小和方向;（3)该点坡印廷矢量S的大小和方向;（4)计算该导体长度为l，半径为r的部分消耗的能量。试比较（3)，（4)说明了什么？
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如题图9.26所示,一根半径为R,的长直圆柱形铜导线（μr=1),外包一层相对磁导率为p,的圆简状顺磁
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相对介电常数εr=4无限大均匀电介质中有一个半径为a的导体球，导体球内有一个半径为b的偏心球形空腔，空腔的中心O的坐标为(0，0，d)，设空腔中心O处有一点电荷Q0，如下图所示。
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用细导线均匀密绕成长为l、半径为a （l ＞＞ a)、总匝数为N的螺线管，管内充满相对磁导率为mr 的均匀磁介质．若线圈中载有稳恒电流I，则管中任意一点的 ［ ］
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半径为R的圆柱形无限长载流直导体置于均匀无限大磁介质之中，若导体中流过的恒定电流为I，磁介质的相对磁导率μ<sub>r</sub>（μ＜1)，则磁介质内的磁化强度为（)
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若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为：σ=q（）因为n、p、μn、μp都是依赖（），所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理
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一各向同性均匀电介质球，半径为R，其相对介电常量为ε，球内均匀分布有自由电荷，其体密度为po，求球内的束缚电荷体密度ρ'和球表面上的束缚电荷面密度σ'。
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良导体中的趋肤厚度，随媒质电导率σ的增大而（）
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一根很长的同轴电缆，由一导体圆柱（半径为a)和一同轴的导体圆管（内、外半径分别为b、c)构成，如例1
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如图（a)所示，一根长直同轴电缆，内、外导体之间充满磁介质，磁介质的相对磁导率为μ<sub>r</sub>（μ<sub>r</sub>＜1
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在“无限大”均匀带电平面A附近放一与它平行，且有一定厚度的“无限大”平面导体板B，如图所示，已知A上的电荷面密度为+σ，则在导体板B的两个表面1和2上的感生电荷面密度为多少？
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1、 实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据，经数学回归分析得出关系式为 lnσ=A - B/T （1）试求在测量温度范围内的电导活化能表达式； （2）若给出T1 = 500 K时，电导率σ1 = 10-9（Ω·cm）-1；T2 = 1000 K时，电导率σ2 = 10-6Ω-1·cm-1，计算电导活化能的值。
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一潜水含水层隔水底板水平，均质、各项同性，延伸范围很广，初始的含水层厚度为10m，渗透系数为10m／d，有一半径为1m的完整井A，井中水位6m，在离该井100m的地点有一水位为8m的观测井B，请问井A的影响半径是多少（)。
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在一个圆柱形电容器中，置有两层同轴的圆柱体，其内导体的半径为2cm，外导体的内半径为8cm，内外两绝缘层的厚度分别为2cm和4cm，内外导体间的电压为150V（以外导体为电位参考点）。设有一根薄的金属圆柱片放在两层绝缘体之间，为了使两层绝缘体内的最大场强相等，金属圆柱片的电位应为（）
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在电导率为σ的无限大均匀电介质内,有两个半径分别为R₁和R₂的理想与体小球,两球之间的距离为d（d＞＞R₁,d＞＞R₂),试求两个小导体球面间的电阻.
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3、（a)p型砷化镓半导体在T = 300 K时的电导率为σ=5/（Ω-cm），求热平衡时的电子和空穴浓度；（b）对电阻率为ρ = 8 Ω-cm的n型硅，重新计算（a)。
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