以下关于突触后抑制，说法错误的是（）

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• 关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）

  A . 突触易化主要涉及的离子是Ca B . 突触强化主要是由于前膜内Na蓄积 C . 长时程强化指该突触活动增强 D . 突触强化与Ca浓度增高有关 E . 突触易化与Na蓄积有关

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。

  A . 电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和 B . 有空间总和 C . 是"全或无"的 D . 以电紧张方式扩布

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• 关于突触传递可塑性的说法，错误的是（）

  A . 突触易化主要涉及的离子是Ca B . 突触强化主要是由于前膜内Na 蓄积 C . 长时程强化指该突触活动增强 D . 突触强化与Ca 浓度增高有关 E . 突触易化与Na 蓄积有关

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）。

  A . 是局部去极化电位 B . 具有"全或无"性质 C . 是局部超极化电位 D . 由突触前膜递质释放量减少所致 E . 由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()

  A . A．Cl通道开放可降低IPSP B . B．多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . C．IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . D．IPSP使神经元的兴奋性增加 E . E．IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

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• 关于抑制性突触后电位不正确()

  A . A．不能发生时间和空间总和 B . B．能发生时间和空间总和 C . C．不存在于脊髓反射过程中 D . D．与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . E．可发生在突触前抑制过程中

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• 下列关于化学突触的说法，错误的是（）。

  A . A.是存在于可兴奋细胞间的一种连接方式 B . B.其作用是通过释放神经递质来传导兴奋 C . C.由突触前膜、突触后膜和突触间隙构成 D . D.突触后膜内有许多囊泡，称突触小泡

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• 关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）

  A . Cl 通道开放可降低IPSP B . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . IPSP使神经元的兴奋性增加 E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K 和Cl 的通透性有关

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• 关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）。

  A . 突触易化主要涉及的离子是Ca B . 突触强化主要是由于前膜内Na 蓄积 C . 长时程强化指该突触活动增强 D . 突触强化与Ca 浓度增高有关 E . 突触易化与Na 蓄积有关

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• 关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）

  A . 突触前轴突末梢超极化 B . 突触后膜对Ca 、K 的通透性增大 C . 突触后膜去极化 D . 突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . 突触后膜对K 、Na ，尤其是K 的通透性增大

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• 以下关于突触后抑制，说法错误的是（）

  A . 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制 B . 突触后膜产生超极化变化 C . 突触后膜产生部分去极化变化 D . 是由突触前末梢释放抑制性递质引起的 E . 可分为回返性抑制和传入性抑制两种

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• 关于抑制性突触后电位不正确（）

  A . 不能发生时间和空间总和 B . 能发生时间和空间总和 C . 不存在于脊髓反射过程中 D . 与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . 可发生在突触前抑制过程中

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）

  A . 电位大小随刺激的强度改变 B . 有时间总和 C . 有空间总和 D . 是"全或无"的 E . 以电紧张方式扩布

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• 以下关于突触后抑制，说法错误的是（）。

  A . 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制 B . 突触后膜产生超极化变化 C . 突触后膜产生部分去极化变化 D . 可分为回返性抑制和传入性抑制两种 E . 是由突触前末梢释放抑制性递质引起的

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• 下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）

  A . 突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少 B . 突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质 C . 突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触 D . 潜伏期短，持续时间短 E . 可调节控制感觉信息的传入活动

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• 关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()

  A . A．突触前轴突末梢超极化 B . B．突触后膜对Ca、K的通透性增大 C . C．突触后膜去极化 D . D．突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . E．突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

  A . A．是局部除极化电位 B . B．具有"全或无"性质 C . C．是局部超极化电位 D . D．由突触前膜递质释放量减少所致 E . E．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的（）

  A . 突触前膜去极化 B . 持续时间长 C . 潜伏期较长 D . 通过轴突-轴突突触结构的活动来实现 E . 轴突末梢释放抑制性递质

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• 关于突触后抑制的叙述，错误的是（）

  A．由抑制性突触活动所引起 B．突触前膜释放抑制性递质 C．突触后膜发生超极化 D．突触后膜发生去极化 E．突触后膜产生抑制性突触后电位

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• 4、关于抑制性突触后电位，以下正确的是

  A．是局部去极化电位 B．是局部超极化电位 C．由突触前膜递质释放量减少所致 D．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述（）

  A．是局部去极化电位 B．具有“全或无”性质 C．是局部超极化电位 D．由突触前膜递质释放量减少所致 E．由突触后膜对钠通透性增加所致

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