平衡载流子浓度
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半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
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在平衡p-n结中,由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流,而使p-n结中的静电流为零。
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在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。
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测试非平衡少数载流子数目的方法?
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使非平衡载流子浓度增加的运动叫();使非平衡载流子浓度减少的运动叫()。
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◑在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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5、由于载流子浓度梯度产生的电流()。
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在一定温度下,半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方,而与掺杂无关。
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1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 () A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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平衡载流子浓度(名词解释)
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非平衡载流子的产生(名词解释)
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2、在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于 。
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2、提高载流子浓度,会()。
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