使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。

相似题目

• 如果半导体内载流子浓度分布不均匀，那么无需电场力作用，载流子便会从（）运动。

  A . A、浓度高的区域向浓度低的区域 B . B、浓度低的区域向浓度高的区域 C . C、一端向另一端 D . D、负电子向正空穴

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• 对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）

  A . 低，好，多 B . 低，好，少 C . 低，差，多 D . 高，好，多

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• 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）

  A . A.越高 B . B.不确定 C . C.越低 D . D.不变

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• 因传递疼痛信号较强，可同时兴奋感觉、运动或内脏等神经元，引起多器官多系统的异常变化的称（）多种神经冲动集聚在一个神经元，使非疼痛信号易化为疼痛信号，从而出现痛过敏或疼痛增强的称（）

  A . 疼痛形式的变异 B . 疼痛传导的辐散 C . 疼痛传导的聚合 D . 疼痛的病理改变 E . 疼痛传导的辐散和聚合

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• 在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。

  A . 正确 B . 错误

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• 对低浓溶质的气液平衡系统，当系统温度增加时，其溶解度系数E将（）；而气相分压不变，当系统中液相总浓度增加时，其平衡常数m将（）。

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• 二手烟中含多种有害物质，能使非吸烟者的冠心病风险增加（）。

  A . 10-15% B . 15-20% C . 25-30% D . 35-40%

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• 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

  A . 温度 B . 掺杂工艺 C . 杂质浓度 D . 晶体缺陷 E . 空穴 F . 自由电子

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• 一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。

  A . A.1/4； B . B.1/e； C . C.1/e2； D . D.1/2

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• 测试非平衡少数载流子数目的方法？

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• 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）

  A . 温度 B . 杂质浓度 C . 电子空穴对数目 D . 都不是

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• 平衡载流子和非平衡载流子

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• 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

  A . A.非平衡载流子浓度成正比； B . B.平衡载流子浓度成正比； C . C.非平衡载流子浓度成反比； D . D.平衡载流子浓度成反比。

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• 在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 平衡载流子浓度

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• 非平衡载流子

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• 非平衡载流子的产生

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• 半导体激光发光是由（ ）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。

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• 在恒定光照产生非平衡载流子时，即使存在复合率，体系最终的非平衡载流子浓度也可以达到一稳定值。

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• 5、由于载流子浓度梯度产生的电流（）。

  A．扩散电流 B．漂移电流 C．反向饱和电流 D．复合电流

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• 在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。

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• 平衡载流子浓度（名词解释)

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• 非平衡载流子的产生（名词解释)

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• 为什么说扩散运动是多数载流子的运动，漂移运动是少数载流子的运动？为什么说扩散运动是多数载流子的运动，漂移运动是少数载流子的运动？

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