PMOS管的开启电压UT为()。
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硅管的死区电压为05V,锗管的死区电压为()
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二极管当中,硅管的开启电压约为()v,错管约为()v。
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二极(硅)管的死区电压为()。
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风电机组高电压穿越运行时间要求为当1.15<UT≤1.20时,具有每次运行()ms能力。
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高频阻波器出厂验收,当高频阻波器的保护元件为有间隙避雷器时,Ut的数值放电电压为其工频放电电压的上限Ug的()。
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在线监测装置应能承受电压暂降和短时中断为()UT,持续时间()个周波的电压暂降和短时中断干扰。
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TTL与非门阀值电压UT的典型值是()。
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硅管的正向电压为0.2V。
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TTL与非门阈值电压UT的典型值是()
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硅管的正向电压为()V。
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555集成定时器构成的施密特触发器,当电源电压为15V时,其回差电压⊿UT值为()。
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在每一个波段内,当调谐电压Ut上升时,高频协调器的接受频道也随着升高。
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电气化铁道用避雷器的额定电压UT为()。
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风电机组高电压穿越运行时间要求为当1.10<UT≤1.15时,具有每次运行()s能力。
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二极管导通后,正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为( ),锗管的正向压降为( )
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PMOS管的开启电压为()
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硅管()的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏
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管的正向电压为()V。
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起励10秒钟内发电机机端电压Ut大于()时并且均匀上升,即可认为起励成功
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开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。
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3、硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=-2V,VTP=-1V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。
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10、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
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4、PMOS管的导电沟道中依靠 导电。
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