在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
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刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。
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在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
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晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
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为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
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从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？
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通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
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干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
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下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是（）。
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硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
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大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
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在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
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下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
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由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
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对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
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铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
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各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
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集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。
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不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
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5、湿法刻蚀的分辨率比干法刻蚀的分辨率高。
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2、二氧化硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分主要包含
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2、二氧化硅干法刻蚀常常采用哪种气体的等离子体形式
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