光刻的作用是什么？

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• 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。

  A . 正确 B . 错误

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• 光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。

  A . 正确 B . 错误

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• 什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？

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• 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

  A . 涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶 B . 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶 C . 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶 D . 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

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• 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

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• 光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？

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• 什么是正光刻胶，负光刻胶？

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• 若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg

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• 光刻的本质是什么？

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• 光刻和刻蚀的目的是什么？

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• 光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。

  A . 正确 B . 错误

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• 什么是负性光刻？正性光刻？

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• 光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。

  A . 150－200℃ B . 200℃左右 C . 250℃左右 D . 300℃左右

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• 负性和正性光刻胶有什么区别和特点？

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• 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

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• 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

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• 简要叙述光刻工艺的流程及每一步的作用？

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• 8、涂胶前处理（加HMDS）是为了提高光刻胶粘附力的作用。

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• 3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。

  A．灵敏度 B．分辨率 C．粘附性 D．抗蚀性

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• 5、光刻工艺中常用的光源是

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• 波长（λ）下列哪些波长是光刻工艺中常用的（）

  A．632nm B．365nm C．248nm D．193nm

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• 15、光刻技术的三大要素是： 。

  A．曝光机 B．掩膜版 C．显影液 D．光刻胶

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• 4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？

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• 5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？

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