光刻步骤
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光刻
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对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。
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在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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什么是光刻?光刻的主要流程有哪些?
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如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?
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光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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什么是正光刻胶,负光刻胶?
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若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区,光刻时需要使用哪种光刻胶?为什么?并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
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光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是,光刻胶只对特定波长的光线敏感,例如深紫外线和白光,而对黄光不敏感。
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光刻工艺分为哪些步骤?
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什么是负性光刻?正性光刻?
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例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
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简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。
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3、哪个是表征光刻精度的性能指标,它不仅与光刻胶本身有关,还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关()。
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5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同?
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16、光刻的工艺要求是: 。
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17、光刻胶的主要性能指标包括: 。
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