耗尽型NMOS管

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• NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。

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• 300T型ATP设备中，VCU模块上外接的MOBAD主要是用来存储设备（）的，当其电池耗尽后，需重新更换并重设参数。

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• 增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。

  A . U ＞U B . U ＜U C . U =0 D . U ＞U

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• 增强型NMOS管

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• 耗尽型JFET

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• 耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？

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• 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种

  A . 正确 B . 错误

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• 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

  A . 正确 B . 错误

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• 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。

  A . 正确 B . 错误

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• 为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？

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• MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。

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• 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。/ananas/latex/p/1654

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• 功率MOSFET依据导电沟道可分为PMOS管和NMOS管。（)

  是 否

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• 场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。

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• P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。（）

  是 否

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• 当uGS =0时,（）导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管

  A．没有 B．存在

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• 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

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• 绝缘栅场效应管结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点（）

  是 否

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• 场效应管结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压（）

  是 否

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• N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）

  是 否

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• 15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。

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• 2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。

  A．12A B．25A C．36A D．40A

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• 3、CMOS非门是由一个NMOS和一个PMOS组成，其栅极相连作为输入，漏极相连作为输出，NMOS源极需接 电平，PMOS源极接 电平。

  A．高、低 B．高、高 C．低、高 D．低、低

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• 耗尽型MOS管工作在恒流区时的栅-源电压可以是＞0V、＜0V、=0V。

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