耗尽型JFET
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300T型ATP设备中,VCU模块上外接的MOBAD主要是用来存储设备()的,当其电池耗尽后,需重新更换并重设参数。
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当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()
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YB45包装机内衬纸卷耗尽后,需打开内衬纸卷(),取下耗尽的内衬纸卷芯。
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耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处?
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绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种
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若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。
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SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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硅MOSFET和硅JFET结构相同。()
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耗尽型NMOS管
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JFET放大电路具有截止区,放大区和饱和区三种情况。
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场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻(RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下,当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
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P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。()
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当uGS =0时,()导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
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一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。
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场效应管结型和耗尽型MOS场效应管,具有夹断电压()
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N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时,栅源电压为负值()
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3、P沟道JFET中的导电载流子是________ 。
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25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)=-1V,当测量到它在电路中的电压值为:UDS=-3V,UGS=-2V时,可以断定该MOS管工作在截止区。
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26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:UDS=3V,UGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。
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15、作为放大器件工作时,耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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2、某N沟道耗尽型MOSFET,其阈值电压为-2V,增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V,漏极电压为4V时,器件的漏源电流为()。
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12、要使JFET的输入电阻高,必须通过外加电压保证栅-源之间的PN结反偏。
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耗尽型MOS管工作在恒流区时的栅-源电压可以是>0V、<0V、=0V。
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