锗二极管的过渡区电压大致在()。
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锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。
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锗二极管的正向压降通常为()。
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锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。
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当测二极管正向电阻时,若指针在标度尺()左右为锗二极管。
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在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
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锗二极管的正向电阻在()左右。
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在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。
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半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。
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硅和锗三极管的门电压不同,分别为()伏。
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硅二极管的过渡区电压大致在()V。
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锗材料二极管的死区电压为()V。
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硅二极管的反向电流比锗二极管大。
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硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?
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二极管的正向特性明显分为两个区域,分别是()和()区;对硅管而言,这两个区的电压大致为()和0.7V。
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二极管两端加反偏电压时,一定工作在反向截止区。此题为判断题(对,错)。
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一般情况下,我们知道,导通后二极管两端电压变化很小锗管约为()。
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常温下,锗二极管导通后的正向电压约为______。
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管并联在负载两端来稳定负载电压。()
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普通锗二极管的死区电压为( )。
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的反向电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管串联接在负载两端来稳定负载电压。()
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的反向电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管并联接在负载两端来稳定负载电压。()
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稳压二极管工作于反向击穿区,在该区内,稳压管的电流在很大范围内变化,稳定电压却基本不变。()
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在同样温度变化的情况下,硅二极管要比锗二极管性能稳定()
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锗二极管的单项导通电压()
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