锗二极管的单项导通电压()
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硅二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
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硅二极管的导通电压是0.7V()
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锗二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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锗三极管发射结的正向导通电压为()。
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二极管的导通电压都是0.7V。
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晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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锗二极管正向导通电压应为()。
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三极管的导通电压为()。
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硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
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锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()
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硅二极管正向导通电压为__ __伏,锗二极管正向导通电压为___伏。
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在一定的温度条件下,如果二极管的导通电压增大,则反向饱和电流也增大。()
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晶体二极管的导通电压为0.7V。此题为判断题(对,错)。
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常温下,锗二极管导通后的正向电压约为______。
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硅元素二极管的导通电压约为();锗元素二极管的导通电压约为();
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电路如图1-13(a)所示,已知vi=5sinωtV,二极管导通电压VD(on)=0.7V。试画出vi与vO的波形,并标出幅值。
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()当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时,三极管处于截止状态
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三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
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锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约0.7V,锗管发射结的导通电压约0.3V()
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硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V,锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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1、三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于内部二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
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