何谓掺杂？
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下列（）食品属掺杂食品。
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下列（）食品不属于掺杂食品。
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说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
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迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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半导体掺杂
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在产品中掺杂掺假是犯罪吗？
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自掺杂效应
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何为高掺杂效应？
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硅的电阻率与掺杂浓度有关。
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轻掺杂漏（LDD）
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半导体有三个主要特征（）、（）和掺杂特征。
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离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
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CD越小，源漏结的掺杂区越深。
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在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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掺杂的目的是什么？掺杂在何时进行？惨杂方法有哪几种？
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晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。
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半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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判断：（1）气相外延时，能够通过使用低温硅源降低工艺温度来彻底避免自掺杂效应引起的杂质再分布。 （2）掺杂剂需要用氢稀释十~五十倍，以减小掺杂气体的流量误差。
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15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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掺杂半导体根据掺杂类型不同又分为哪两种？
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一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。