晶体二极管的死区电压其大小与材料及环境温度有关。（)
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二极管伏安特性曲线上有一个死区电压，什么是死区电压？
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硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
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晶体三极管工作时，温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。
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半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。
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硅二极管的死区电压一般为0.2V。
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锗材料二极管的死区电压为（）V。
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微动开关的动作存在一定（），其动作死区的大小与（）有关。
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硅二极管的死区电压一般为（）伏。
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硅二极管的死区电压约为（）。
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硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
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二极管正向电压大于死区电压后，正向（）开始明显增加，并且随着正向电压加大，二极管呈现充分导通状态。
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硅半导体二极管的死区电压约为（）。
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硅材料二极管的死区电压为（）V。
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微动开关的动作存在一定的（），其动作死区的大小与（）有关。
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当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）。
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二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
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二极管反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。
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开启电压的大小和材料、环境温度有关。此题为判断题(对，错)。
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微动开关的动作存在一定的（)，其动作死区的大小与（)有关。
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普通锗二极管的死区电压为( )。
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硅二极管的死区电压约为__伏左右（）
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当二极管外加的正向超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）
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要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（）
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硅二极管死区电压为（）V。
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