基区渡越时间
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为什么基区薄层电阻需要修正？
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考虑到基区载流子的渡越时间，相角 θc和θe 满足 θc＞θe 。
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额唇基区，是头的最前面，包括（）和（）。
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每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
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三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为（）。
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NPN型三极管的基区中多数载流子是电子
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考虑到基区载流子的渡越时间，相角θc和θe满足（）。
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额唇基区包括（）
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渡越时间
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晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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基区输运系数
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体管分为三层分别为：发射区、基区和（）。
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考虑到基区载流子的渡越时间，相角θe随频率提高，而（）。
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考虑到基区载流子的渡越时间，反向电流相角θr随频率提高，而（）。
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集电结耗尽区渡越时间
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额唇基区的变化主要发生在（）、（）。
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三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）
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晶体管的基区很薄且杂质浓度很高。（)
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1、为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
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1、防止基区穿通的措施是提高WB与NB 。
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一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
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5、以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了 在基区中的运动，该载流子做 运动。（）
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