三极管饱和深度越深导通电阻越小。

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• 试件的磁感应强度和试件上缺陷大小都一定时，缺陷埋藏深度越深，漏磁场强度越小

  A . 正确 B . 错误

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• 硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V

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• 反向饱和电流越小，三极管质量越好。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 硅二极管的导通电压是0.7V（）

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

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• 从二极管伏安特性看，当（）时，二极管的导通电阻小.

  A . 正向特性曲线陡直 B . 正向特性曲线平缓 C . 反向特性曲线陡直 D . 反向特性曲线平缓

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• 硅二极管导通电压降一般在（）伏左右。

  A . 0.1 B . 0.35 C . 0.7

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• 晶体三极管饱和导通的条件是（）

  A . A、Ub＞Ue B . B、Ub＜Ue C . C、Ib≥ICs/β D . D、Ib＜ICs/β

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• 地层的埋藏深度越深，岩石的密度越大，孔隙度越小，上覆岩层压力越小。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 三极管饱和深度越深关闭所需的时间久越长。

  A . 正确 B . 错误

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• 确定的最大排液深度越深，下人井内油管容积越小，环空内容积越大，则环空排液深度越大。

  A . 正确 B . 错误

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• 二极管的导通电压都是0.7V。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

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• 三极管的导通电压为（）。

  A . 硅管0.3V B . 锗管0.7V C . 硅管0.7V D . 硅管0.5V E . 锗管0.3V

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• 在一定的温度条件下，如果二极管的导通电压增大，则反向饱和电流也增大。（）

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• 玻璃浮计测定密度，液体密度越大，浮计浸没的深度越深;反之，液体密度越小，浮计浸没的深度愈小。（)

  是 否

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• 硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；

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• 系统的动态范围越小，系统探测深度越深，探测能力越强。（)

  是 否

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• （）当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时，三极管处于截止状态

  是 否

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• 三极管如果有基极电流的话，其BE极电压必须大于二极管的导通电压，如果是常用的硅三极管，这个导通电压大约是（）伏。

  A．0.3 B．0.4 C．0.7 D．0.8

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• 晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）

  是 否

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• 1、三极管如果有基极电流的话，其BE极电压必须大于内部二极管的导通电压，如果是常用的硅三极管，这个导通电压大约是（）伏。

  A．0.3 B．0.2 C．0.7 D．0.8

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• 锗二极管的单项导通电压（）

  A．0.5V B．0.7V C．0.9V D．0.2V

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